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中美半导体大战:对存储行业的影响

2023-6-20 9:35:22      点击:
上月,由于存在国家安全风险,美光科技生产的产品在中国被禁止销售。中国网络安全审查办公室表示,“美光公司的产品对中国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险,影响国家安全”。


正如我们所知,美光与三星和SK海力士是主要的DRAM和NAND厂商之一。事实上,中国是美光的主要市场之一,占其全年销售额的10%左右。2022年,美光公布的总收入为307亿美元,其中33亿美元(10.7%)来自中国。
在这种情况下,中国的DRAM和NAND存储芯片/服务器/AIoT需求可能会由三星,SK海力士以及中国公司如长江存储, 长鑫存储,中芯国际,华为,浪潮,宇视,海康威视,兆易创新和光威等中国国内公司提供。
至于NAND领军企业之一的长江存储,海康威视Hiksemi CC700 PCIe 4.0 2TB固态硬盘中使用了长江存储近期发布的232L Xtacking3.0 TLC芯片。比特密度(15.0 Gb/mm2)比之前的128L Xtacking2.0 TLC芯片增加了76%,这是迄今为止最高的比特密度。他们现在正在提高产品产量,并在现有设备和基础设施的基础上开发n+1和n+2代(>300L)。
中国DRAM企业长鑫存储也推出了20nm级(D/R=23.8nm) DDR4和LPDDR4X产品,以及D1x(可能采用19nm D/R)样品产品。他们正在为DDR5和LPDDR5/5X应用开发n+1 (D1y)和n+2 (D1z)代。
美国工业和安全局(BIS)对华限制:
(1)采用16nm或14nm及以下非平面FinFET或GAAFET晶体管结构的逻辑芯片;
(2)半间距小于等于18nm的DRAM存储芯片;
(3) 128层及以上的NAND闪存芯片。
由于这些限制,长江存储和长鑫存储在开发新产品或扩展新的HVM晶圆厂方面面临挑战。尽管如此,至少在两年内,它们都可能有能力开发下一代D1y DRAM和3xxL NAND器件。然而,新的晶圆厂和新的半导体工具最终是DRAM和NAND产品微缩和提升的必要条件。如果2025年或2026美国的制裁仍在继续,且如果届时国内设备供应链不够,这两家公司可能将停止进一步的研发活动。
三星和SK海力士在这方面怎么样?中美之间紧张的地缘政治局势可能会影响三星和SK海力士的近期和长期存储业务计划,特别是在中国和针对中国的业务规划。去年,三星在中国的收入(242亿美元)几乎是SK海力士(125亿美元)的两倍。他们可能很快就会从中国对美光的禁令中受益,然而,这很复杂,也很难确定,因为他们都在中国有多家存储制造工厂。例如,三星在西安运营着两家NAND晶圆厂,SK海力士的无锡工厂负责该公司约一半的DRAM生产,约占全球市场份额的15%。
由于美国的制裁,三星和SK海力士可能会更多地关注传统工艺消费级DRAM和NAND市场,如D1y而不是D1z和D1a的DDR3和DDR4 DRAM,以及128L而不是176L的NAND,以满足中国国内的需求,这意味着没有更多的设备或晶圆厂投资。或者,如果未来晶圆厂的管理、维护和扩建受到限制,他们最终可能会考虑将自己的晶圆厂出售给中国。在这种情况下,他们也许会改变未来在存储业务上的投资计划/战略,包括在韩国或其他国家(如美国和日本)新建晶圆厂和研发中心。
现在来自美国的压力非常大。虽然三星和SK海力士从美国获得了一年的宽限期,但今年在中国的存储收入可能会下降。在这一点上,他们都处于两难境地。如果它们增加在中国的销量,可能会影响它们与美国的关系。相反,如果他们跟随美国,他们可能会受到中国的反击;美国可能会在未来要求更多。
对中国而言,尤其是在未来几年内,国内芯片工具制造商和供应商如北方华创科技等公司需要加大投资力度,加快开发先进的半导体工具,以支持存储和晶圆代工厂应对美国制裁的要求,这是一个事实。具有讽刺意味的是,由于美国的限制,中国国内半导体工具行业未来的增长速度可能比其他任何地方都快。