11月27日，国内红外光电探测领域传来重大进展。据麦姆斯咨询消息，中科爱毕赛思（常州）光电科技有限公司（以下简称“中科爱毕赛思”）完成新一轮融资，多家实力资本机构联合注资，包括中车资本、国科创投、成都交投、常金控、启泰资本及东海创新投等。这一融资动作不仅体现了资本市场对其技术实力的高度认可，也为国产Ⅱ类超晶格红外探测器的产业化提供了有力支撑。

作为常州高新区重点引进的半导体核心企业，中科爱毕赛思自2020年由中国科学院上海技术物理研究所孵化成立后，便聚焦于打破国外在红外探测领域的技术垄断。经过持续五年技术攻关，公司在锑化物超晶格外延材料生长、芯片制造、组件封装与测试等环节上构建了完整的产业链技术体系，成为国内少数掌握高性能红外探测器全链条自主可控能力的IDM（集成器件制造）企业。

在技术层面，中科爱毕赛思以Ⅲ-Ⅴ族半导体材料为核心，突破了分子束外延（MBE）与芯片制备两项关键技术。其中，MBE作为当前半导体材料生长中的精密技术，被企业实现原子级精准控制。通过工艺优化，公司可稳定生长数千层的锑化物超晶格材料，外延片具备高晶体质量、良好均匀性及低缺陷密度，为高性能红外探测器芯片的生产提供坚实基础。公司开发的中波与长波制冷型探测器芯片，表现出高量子效率、低暗电流及高均匀性等优异特性，多项性能指标已达到国际先进水平。

2025年9月，中科爱毕赛思实现了重要的产能突破。第三台用于批量生产的MBE设备正式投产，标志着企业核心工艺进入成熟量产阶段。新设备的运行将显著提升其高性能Ⅱ类超晶格外延片与芯片的产能，有助于满足航空航天、安防监控、医疗检测等高端应用领域日益增长的市场需求，同时为后续成本优化与市场竞争力提升提供支撑。

针对本轮融资资金的规划，公司将主要用于扩建锑化物红外探测器生产线，并加速推进Ⅱ类超晶格红外探测技术的持续迭代。此次融资不仅有助于巩固其在国内高端红外探测器市场的领先地位，也为技术持续突破提供了强大保障。

作为第三代红外光电探测技术的代表，Ⅱ类超晶格红外探测器因其优异的性能被广泛认为是红外光电领域的核心技术方向。中科爱毕赛思在这一领域的不断突破，正在推动我国从技术跟随者逐步向领先者转变。

资本市场对中科爱毕赛思的集体认可，折射出市场对国产红外光电产业未来发展的信心。长期以来，高端红外探测器的核心技术和产能主要由国外企业垄断，而中科爱毕赛思通过IDM模式的全链条布局和关键核心技术的掌握，正在重塑这一产业格局。

随着本轮资金注入及产能持续释放，中科爱毕赛思将加快技术成果的产业化进程。这不仅有助于缓解国内高端红外探测器市场的供需矛盾，也将在产业链上下游协同创新中发挥关键作用，推动我国红外光电产业迈向高质量发展阶段，提升我国在全球半导体光电子领域的竞争力。

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