在推动先进半导体制程工艺上，CUP芯片等高性能计算芯片和内存芯片是两大主力驱动力。从28nm-14nm-7nm-5nm,让代工厂或IDM不断投资兴建更高工艺晶圆厂的动力也来自这些产品的主要客户。而这其中，进入到7nm节点后，光刻机也不得不升级到EUV（极紫外）光刻机类型。

据韩国媒体报道，全球第二大DRAM内存供应商SK海力士已经在研发1a nm工艺的内存，内部代号“南极星”，具体节点大概在15nm，预计会引入EUV光刻机生产。

对内存来说，它跟CPU逻辑工艺一样面临着需要微缩的问题，EUV光刻机可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。

不过内存使用EUV工艺问题也不少，首要问题就是EUV光刻机售价太高，10亿一台，还要考虑到维护费用，所以初期要承担不小的成本压力。

目前SK海力士最先进的内存工艺主要是1y、1z nm，今年下半年这两种工艺将占到40%的产能比重。

3月初，三星表示，将从第四代10nm级(D1a)DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV，明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片，预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。