英特尔(Intel)不久前砸下30亿美元，扩充位于美国奥勒冈州(Oregon)科技重镇Hillsboro的DIX Mod3先进技术晶圆厂，目标是重新取得在半导体工艺技术上的领导地位。


在该厂的开幕仪式上，英特尔执行长Pat Gelsinger重申该公司对美国在半导体研发领导地位的承诺。英特尔将这座占地近500英亩(EETT编按：约2.023平方千米)，位于Ronler Acres工业区的园区重新命名为“Gordon Moore Park”(参考文章上方大图)，提醒世人摩尔定律(Moore’s Law)仍然有效──近年来，业界一直忧心摩尔定律已经失去动力。
“自成立以来，英特尔一直致力于持续推进摩尔定律；”Gelsinger在一份新闻声明中表示：“这个全新厂房空间将强化我们提供加速工艺技术蓝图的能力，以支持我们大胆的IDM 2.0 策略。奥勒冈州长期以来是我们全球半导体研发的核心重地。”
该据点是英特尔全球技术开发部门的总部，负责通过打造全新晶体管架构、晶圆工艺和封装技术来推进摩尔定律，巩固该公司的产品技术蓝图。奥勒冈州厂房预期能为从PC、云端基础建设到5G网络等应用提供基础技术；该团队约有1万名员工，主要驻在Hillsboro当地。
这个团队面临的一个关键挑战，是将芯片上的功能微缩到原子大小。奥勒冈州晶圆厂以高介电质金属栅极(high-k metal gate)技术、三栅极(tri-gate) 3D晶体管和应变硅(strained silicon)等创新技术而备受肯定，而所有这些都是跟上摩尔定律的基础。
“那些开创性的工艺创新都起源于奥勒冈州据点，随着我们D1X厂房的最新扩展，该据点已经做好提供下一代领先技术的准备；”英特尔技术开发部门总经理Ann Kelleher表示：“半导体是美国技术领先地位、经济和供应链弹性的基础，而英特尔是世界上唯一在美国拥有大部分工艺和封装研发、以及大量尖端半导体组件生产的公司。”
英特尔在2021年宣布了雄心勃勃的工艺技术蓝图，目标是超越其竞争对手台积电(TSMC)和三星(Samsung)，重新取得领导地位。英特尔期望加速创新的步伐以及每年一次的进步节奏，在2025年之后能将创新技术运用于新产品。


英特尔的RibbonFET技术。 (来源：英特尔)
那些创新技术包括英特尔的环绕式栅极RibbonFET，即一种全新的3D晶体管架构；此外还有一种晶背电力传输技术PowerVia，以及高数值孔径(NA)的极紫外光(EUV)微影。
通过这笔规模达30亿美元扩充D1X据点的投资，英特尔工程师将拥有额外的27万平方英尺(EETT编按：约25077.685㎡)无尘室空间，用于开发下一代硅工艺技术。英特尔也会将技术成果从Hillboro转移至该公司位于全球的制造据点。
英特尔在美国奥勒冈州的厂房规模与人才是该公司全球据点中最大的，其位于Hillboro的4个园区员工总数近2万2,000 名；此次扩充将使该公司在奥勒冈州的总投资超过520亿美元。
而该公司的目标也包括取得一部份美国政府提供、总额达520亿美元振兴本土半导体制造预算。美国曾经是世界上最大的芯片制造国，但目前仅占据全球半导体制造量约12%。美国半导体行业的衰落，通常被认为是国家安全的弱点。
英特尔表示，凭借其员工、由当地承包商和供应商组成的庞大网络、资本投资和其他下游影响，该公司每年的贡献总计超过10.5万个工作岗位，超过100亿美元的劳动收入，以及190亿美元的国内生产总值(GPD)。