从“尚未决定”到“最终落户”，三星电子第二期投资终于落户在古城西安。据最新消息，三星电子在西安的闪存芯片项目二期投资80亿美元落地。今年5月份，三星电子曾表示，尚未决定对中国西安的第二条闪存芯片生产线进行额外投资的计划，具体情况将取决于市场状况。

本月10日，三星电子闪存芯片项目二期第二阶段80亿美元投资正式启动。据了解，这是三星电子在西安闪存芯片项目二期第二阶段投资。

2012年，西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目，成为了三星海外投资历史上投资规模最大的项目，一期投资108亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目，于2014年5月竣工投产。

二期项目总投资150亿美元，2018年3月正式开工建设，主要制造闪存芯片。其中，第一阶段投资约70亿美元，明年3月竣工投产;第二阶段投资80亿美元，2021年下半年竣工。据了解，三星电子闪存芯片二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元，带动一批配套电子信息企业落户。

早在2019年5月，“三星电子二期投资即将落地”的传言在业内散开，随后，三星电子公司公开表示，尚未决定对中国西安的第二条闪存芯片生产线进行额外投资的计划，否认了中国国内媒体的报道。并表示第二期投资情况将取决于存储市场的走势。

“铠侠的跳电事件导致产能下降，加上各厂商的减产等因素，NAND Flash的单价有所回升。”分析师杨俊刚对《中国电子报》记者说。

存储芯片回暖，三星二阶段提前落地

2019年年初，闪存芯片价格大幅下跌，全球许多知名闪存制造商，选择放缓扩张计划，并宣布减产。经过了一年的价位下滑，年底存储市场或将迎来止跌反弹。据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新预测，2019年第三季度，NAND Flash厂商营收季增10%，约达到119亿美元。

“明年闪存市场回暖，需求量增加，三星在此时加快扩产在情理之中。”市场分析师黄阳棋对记者说。

11月25日，据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）发布最新预测报告，称三星电子在新产能方面，西安二期仍依规划于2020年上半年投产。十五天后，三星电子二期第二阶段的投资落地，比分析机构预测的提前。