预计第三代功率半导体2021年市场将突破10亿美元
2020-7-21 10:33:38 点击：
Omdia称，受电动汽车、电源和光伏逆变器的需求驱动，SiC和GaN功率半导体市场预计在2021年将突破10亿美元。
Omdia表示，预计到2020年底，全球SiC和GaN功率半导体的销售收入将从2018年的5.71亿美元增至8.54亿美元。
预计未来十年将以两位数的年增长率增长，到2029年将超过50亿美元。
SiC肖特基二极管已经上市十多年了，近年来出现了SiC的MOSFET和JFET。
SiC功率模块越来越方便，包括混合SiC模块，包含带Si-igbt的SiC二极管，以及包含sicmosfet的完整SiC模块（带或不带SiC二极管）。
SiC MOSFET目前已有几家公司开始提供。
包括650V、700V和900V SiC MOSFET的引入，与硅MOSFET开始竞争，同时供应商之间的竞争加剧，导致2019年的平均价格下降，这也促进了市场普及度的提高。
Omdia电力半导体的高级首席分析师Richard Eeden说：“价格下降最终将刺激SiC MOSFET技术的更快采用。”相比之下，GaN功率晶体管和GaN系统集成电路才刚刚在市场上出现。GaN是一种宽禁带材料，具有与SiC相似的性能优势，但具有更高的成本降低潜力。这些价格和性能上的优势是可能的，因为GaN功率器件可以在硅或蓝宝石衬底上生长，而硅衬底和蓝宝石衬底比SiC要便宜。GaN晶体管现已上市，包括来自Power Integrations、Texas Instruments和Navitas Semiconductor等公司的GaN系统集成电路的销售额预计将以更快的速度增长。”
Omdia说，到2020年底，SiC MOSFET预计将产生约3.2亿美元的收入，与SiC的肖特基二极管市场一致。
从2021年起，SiC MOSFET将以略快的速度增长，成为最畅销的分立SiC功率器件。同时，尽管SiC-JFET的可靠性、价格和性能都很好，但据预测，SiC-JFET的收入要比SiC-MOSFET少得多。
Eeden说：“终端用户强烈喜欢非SiC MOSFET，因此SiC JFET似乎仍将是专业的利基产品。然而，SiC JFET的销售额预计将以惊人的速度增长，尽管活跃的供应商非常少。”
混合SiC功率模块，结合Si-IGBT和SiC二极管，2019年的销售额约为7200万美元，而全SiC功率模块在2019年产生约5000万美元。
预计到2029年，全集成电路功率模块将实现超过8.5亿美元的收入，因为它们将是混合动力和电动汽车动力传动系统逆变器的首选。相比之下，混合碳化硅功率模块将用于光伏逆变器、不间断电源系统和其他工业应用。
Omdia称，SiC和GaN功率器件目前已有数万亿小时的设备现场经验。无论是传统供应商还是新入者都正在通过JEDEC和AEC-Q101认证，SiC和GaN器件似乎没有任何意外的可靠性问题；事实上，它们通常比硅好。
SIC MOSFET和SIC JFET的工作电压较低，如650V、800V和900V，使SiC在性能和价格上可以与传统硅MOSFET竞争。
带有GaN晶体管和GaN系统集成电路的产品也正在批量生产，特别是用于移动电话和笔记本电脑快速充电的USB C型电源适配器和充电器。此外，许多GaN设备由代工厂制造，在标准硅片上提供GaN外延晶体生长，随着产量的增加，潜在的产能还可继续扩张。
关键字：SiC GaN 功率半导体
Omdia表示，预计到2020年底，全球SiC和GaN功率半导体的销售收入将从2018年的5.71亿美元增至8.54亿美元。
预计未来十年将以两位数的年增长率增长，到2029年将超过50亿美元。
SiC肖特基二极管已经上市十多年了，近年来出现了SiC的MOSFET和JFET。
SiC功率模块越来越方便，包括混合SiC模块，包含带Si-igbt的SiC二极管，以及包含sicmosfet的完整SiC模块（带或不带SiC二极管）。
SiC MOSFET目前已有几家公司开始提供。
包括650V、700V和900V SiC MOSFET的引入，与硅MOSFET开始竞争，同时供应商之间的竞争加剧，导致2019年的平均价格下降，这也促进了市场普及度的提高。
Omdia电力半导体的高级首席分析师Richard Eeden说：“价格下降最终将刺激SiC MOSFET技术的更快采用。”相比之下，GaN功率晶体管和GaN系统集成电路才刚刚在市场上出现。GaN是一种宽禁带材料，具有与SiC相似的性能优势，但具有更高的成本降低潜力。这些价格和性能上的优势是可能的，因为GaN功率器件可以在硅或蓝宝石衬底上生长，而硅衬底和蓝宝石衬底比SiC要便宜。GaN晶体管现已上市，包括来自Power Integrations、Texas Instruments和Navitas Semiconductor等公司的GaN系统集成电路的销售额预计将以更快的速度增长。”
Omdia说，到2020年底，SiC MOSFET预计将产生约3.2亿美元的收入，与SiC的肖特基二极管市场一致。
从2021年起，SiC MOSFET将以略快的速度增长，成为最畅销的分立SiC功率器件。同时，尽管SiC-JFET的可靠性、价格和性能都很好，但据预测，SiC-JFET的收入要比SiC-MOSFET少得多。
Eeden说：“终端用户强烈喜欢非SiC MOSFET，因此SiC JFET似乎仍将是专业的利基产品。然而，SiC JFET的销售额预计将以惊人的速度增长，尽管活跃的供应商非常少。”
混合SiC功率模块，结合Si-IGBT和SiC二极管，2019年的销售额约为7200万美元，而全SiC功率模块在2019年产生约5000万美元。
预计到2029年，全集成电路功率模块将实现超过8.5亿美元的收入，因为它们将是混合动力和电动汽车动力传动系统逆变器的首选。相比之下，混合碳化硅功率模块将用于光伏逆变器、不间断电源系统和其他工业应用。
Omdia称，SiC和GaN功率器件目前已有数万亿小时的设备现场经验。无论是传统供应商还是新入者都正在通过JEDEC和AEC-Q101认证，SiC和GaN器件似乎没有任何意外的可靠性问题；事实上，它们通常比硅好。
SIC MOSFET和SIC JFET的工作电压较低，如650V、800V和900V，使SiC在性能和价格上可以与传统硅MOSFET竞争。
带有GaN晶体管和GaN系统集成电路的产品也正在批量生产，特别是用于移动电话和笔记本电脑快速充电的USB C型电源适配器和充电器。此外，许多GaN设备由代工厂制造，在标准硅片上提供GaN外延晶体生长，随着产量的增加，潜在的产能还可继续扩张。
关键字：SiC GaN 功率半导体
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