10月25日，TechInsights发布题为《中国再次实现突破！全球最先进的3D NAND存储芯片被发现》的文章，称在一款消费电子产品中发现“世界上最先进”的3D NAND存储芯片，它来自长江存储。TechInsights表示，这是其看到的首个具有超过200个活跃字线的四层存储单元（QLC）3D NAND芯片。



据介绍，TechInsights 在2023年7月推出的致态固态硬盘（SSD）中发现由长江存储制造的232层QLC 3D NAND芯片。这种新的QLC芯片具有19.8 Gb/mm2的商用NAND产品中最高的比特密度。


该文指出，此次发现5个关键要点：


1. 长江存储再次证明他们为3D NAND TLC和QLC应用开发的Xtacking混合键合技术的价值。Xtacking 3.0 232L采用BSSC技术，提高良率和性能，降低成本。


2. 尽管受到制裁后困难重重，包括该公司受限于向苹果供应基于中国生产的iPhone零部件，以及被列入美国的实体名单，但长江存储仍在开发最先进的技术。


3. 近期存储市场的低迷，以及许多内存制造商专注于节省成本的举措，可能为长江存储提供机遇，使其具有领先的更高比特密度的3D Xtacking NAND。


4. 本次发现超越同样在开发232层QLC 3D NAND器件的美光和英特尔。值得注意的是，三星目前的战略是专注于V9 3D NAND的TLC和QLC，因此没有在236层（V8）3D NAND上开发QLC。


5. 越来越多的证据表明，中国正在努力克服贸易限制、建立本土半导体供应链的势头比预期的要成功。（校对/赵碧莹）