微缩技术远超其他晶圆代工商，台积电3nm工艺仍会采用FinFET晶体管技术？
2020/6/6 15:09:33 点击：
与非网 6 月 5 日讯，据悉，台积电 3 纳米将继续采取目前的 FinFET 晶体管技术。
这意味着台积电确认了 3 纳米工艺并非 FinFET 技术的瓶颈，甚至还非常有自信能够在相同的 FinFET 技术下，在 3 纳米制程里取得水准以上的良率。这也代表着台积电的微缩技术远超过其他的芯片制造商。
当制程下探，电路无可避免的会遭遇到控制的困难，产生如漏电、电压不稳定等的短通道效应（Short-channel Effects）。而为了有效抑制短通道效应，尽可能的增加电路的面积，提高电子流动的稳定性，就是半导体制造业者重要的考量，而鳍式晶体管（FinFET）架构就因此而生。
FinFET 运用立体的结构，增加了电路闸极的接触面积，进而让电路更加稳定，同时也达成了半导体制程持续微缩的目标。但这个立体结构的微缩也非无极限，一但走到了更低的制程之后，必定要转采其他的技术，否则摩尔定律就会就此打住。
也因此，三星电子（Samsung）在 2019 年就宣布，将在 3 纳米制程世代，改采闸极全环（Gate-All-Around，GAA）的技术，作为他们 FinFET 之后的接班制程；无独有偶，目前的半导体龙头英特尔（Intel），也在不久前宣布，将投入 GAA 技术的开发，并预计在 2023 年推出采用 GAA 制程技术的 5 纳米芯片。
由于世界前两大的半导体厂都相继宣布投入 GAA 的怀抱，因此更让人笃定，也许 3 纳米将会是 GAA 的时代了，因为至 3 纳米制程，FinFET 晶体管就可能面临瓶颈，必须被迫进入下个世代。
唯独台积电，仍将在 3 纳米世代延续 FinFET 晶体管的技术。进入 3 纳米世代，也因此他们不用变动太多的生产工具，也能有较具优势的成本结构。而对客户来说，也将不用有太多的设计变更，也有助于客户降低生产的成本。若最终的产品性能还能与竞争对手平起平坐，那台积电可能又将在 3 纳米产品世代再胜一筹。
尤其是对客户来说，在先进制程的开发里变更设计，无论是改变设计工具或者是验证和测试的流程，都会是庞大的成本，时间和金钱都是。因此若能维持当前的设计体系，对台积电和客户来说，都会是个双赢局面。
这意味着台积电确认了 3 纳米工艺并非 FinFET 技术的瓶颈，甚至还非常有自信能够在相同的 FinFET 技术下，在 3 纳米制程里取得水准以上的良率。这也代表着台积电的微缩技术远超过其他的芯片制造商。
当制程下探，电路无可避免的会遭遇到控制的困难，产生如漏电、电压不稳定等的短通道效应（Short-channel Effects）。而为了有效抑制短通道效应，尽可能的增加电路的面积，提高电子流动的稳定性，就是半导体制造业者重要的考量，而鳍式晶体管（FinFET）架构就因此而生。
FinFET 运用立体的结构，增加了电路闸极的接触面积，进而让电路更加稳定，同时也达成了半导体制程持续微缩的目标。但这个立体结构的微缩也非无极限，一但走到了更低的制程之后，必定要转采其他的技术，否则摩尔定律就会就此打住。
也因此，三星电子（Samsung）在 2019 年就宣布，将在 3 纳米制程世代，改采闸极全环（Gate-All-Around，GAA）的技术，作为他们 FinFET 之后的接班制程；无独有偶，目前的半导体龙头英特尔（Intel），也在不久前宣布，将投入 GAA 技术的开发，并预计在 2023 年推出采用 GAA 制程技术的 5 纳米芯片。
由于世界前两大的半导体厂都相继宣布投入 GAA 的怀抱，因此更让人笃定，也许 3 纳米将会是 GAA 的时代了，因为至 3 纳米制程，FinFET 晶体管就可能面临瓶颈，必须被迫进入下个世代。
唯独台积电，仍将在 3 纳米世代延续 FinFET 晶体管的技术。进入 3 纳米世代，也因此他们不用变动太多的生产工具，也能有较具优势的成本结构。而对客户来说，也将不用有太多的设计变更，也有助于客户降低生产的成本。若最终的产品性能还能与竞争对手平起平坐，那台积电可能又将在 3 纳米产品世代再胜一筹。
尤其是对客户来说，在先进制程的开发里变更设计，无论是改变设计工具或者是验证和测试的流程，都会是庞大的成本，时间和金钱都是。因此若能维持当前的设计体系，对台积电和客户来说，都会是个双赢局面。
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