一、特性

1、低待机电流 (小于 0.1uA)
2、低导通内阻 MOSFET 功率开关管

— 采用 MOS 工艺设计功率管

— 1 通道 1.6 安功率管内阻 0.32 欧姆

— 2 通道 1.6 安功率管内阻 0.32 欧姆

3、内部集成续流二极管

— 无需外接续流二极管

4、较小的输入电流

— 集成约 15K 对地下拉电阻

— 3V 驱动信号平均 190uA 输入电流

5、内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)

6、抗静电等级：3KV (HBM）

二、概述
该产品采用H桥电路结构设计，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET，工作电压范围覆盖2V到8V。27℃，VDD=6.5V，两个通道同时工作的条件下，1通道持续输出电流达到1.2A，峰值输出电流达到2.5A；2通道持续输出电流达到1.2A，峰值输出电流达到2.5A。
该电路为功率器件，本身具备一定内阻，电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时
监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时，产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造成塑料封装冒烟、起火等严重事故。芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才允许重新对功率进行控制。
三、应用范围
2-5节 AA/AAA 干电池供电的玩具马达驱动
2-5节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱动
1节锂电池供电的马达驱动

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