华润上华与锐成芯微推eFlash解决方案，基于0.153μm 5V EN CMOS工艺平台
2020/5/29 10:21:16 点击：
与非网 5 月 28 日讯，华润微电子有限公司代工事业群旗下的无锡华润上华科技有限公司与成都锐成芯微科技股份有限公司联合推出高可靠性 eFlash 解决方案，该方案基于华润上华 0.153μm 5V EN CMOS 工艺，并具有独特的成本优势。
据了解，华润上华的 0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台，是基于公司量产三年的 0.18μm EN CMOS 工艺平台优化而来。优化后的工艺成本得到了大大的缩减，以 MCU 应用看，相较公司的 0.18μm 工艺节省成本约 30%；以音频功放应用看，华润上华的 0.153μm 5V EN CMOS 工艺的成本已优于同行水平。该工艺具有成本低、器件种类多样化等优势，适用于 MCU、LED 显示屏、音频功放、DC-DC 等多种应用场景。
成都锐成芯微的 LogicFlash IP 具有显著的市场竞争优势，成本优、性能高、可靠性高，并兼容标准 CMOS 平台。基于华润上华 0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台，成都锐成芯微能同时提供高可靠性和高密度两个版本的 LogicFlash® IP，高密度版本擦写次数可达 10K，高可靠性版本擦写次数可达 50K；两款 IP 读取速度可达 25MHz，写入速度可达 20μS/byte（超快的写入速度可满足终端客户各种应用场景下对高速读写的需求，并有效降低客户测试成本）；两款 IP 可在 150℃ 结温下工作，满足 125℃ 结温下 10 年的数据保持能力的要求，同时满足消费类和工业类产品需求。
基于华润微 0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台，成都锐成芯微已完成高密度版本 Logic Flash® IP 的功能、性能和 1000 小时可靠性测试，以及高可靠性版本 LogicFlash® IP 的功能测试。目前，两个版本的 IP 均有客户使用并成功导入量产，客户反馈该技术方案相比其他解决方案具有高性价比、高灵活性等特点。
华润上华设计服务工程中心总监王浩表示：“0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台是公司近些年重点打造的基础工艺平台，其关键工艺参数（On-BV、ESD、Rdson）在业界处于领先地位。公司具备极具市场竞争力的数字单元库（缩小到 60%）和 SRAM（缩小到 58%）。根据市场调研，公司发现其核心客户应用领域从功能单一的 ASIC 芯片向智能化可编程化的 MCU 类芯片发展，eNVM 是 MCU 类芯片不可或缺的核心 IP。此次与成都锐成芯微的合作，补齐了公司 0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台缺少核心 eNVM IP 的短板，为客户提供了更高价值的服务，能够帮助客户提高产品竞争力。”
成都锐成芯微首席执行官向建军表示：“锐成芯微一直致力于 eNVM IP 的开发，通过不断加大研发投入，优化设计，确保在保持高性能的条件下，不断提升成本竞争力，满足客户对于 eNVM IP 的多样性需求。此次和华润上华在 0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台的合作，也是为了更好地满足市场需求，为全球客户提供极具成本优势的高性能 eNVM 技术。”
据了解，华润上华的 0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台，是基于公司量产三年的 0.18μm EN CMOS 工艺平台优化而来。优化后的工艺成本得到了大大的缩减，以 MCU 应用看，相较公司的 0.18μm 工艺节省成本约 30%；以音频功放应用看，华润上华的 0.153μm 5V EN CMOS 工艺的成本已优于同行水平。该工艺具有成本低、器件种类多样化等优势，适用于 MCU、LED 显示屏、音频功放、DC-DC 等多种应用场景。
成都锐成芯微的 LogicFlash IP 具有显著的市场竞争优势，成本优、性能高、可靠性高，并兼容标准 CMOS 平台。基于华润上华 0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台，成都锐成芯微能同时提供高可靠性和高密度两个版本的 LogicFlash® IP，高密度版本擦写次数可达 10K，高可靠性版本擦写次数可达 50K；两款 IP 读取速度可达 25MHz，写入速度可达 20μS/byte（超快的写入速度可满足终端客户各种应用场景下对高速读写的需求，并有效降低客户测试成本）；两款 IP 可在 150℃ 结温下工作，满足 125℃ 结温下 10 年的数据保持能力的要求，同时满足消费类和工业类产品需求。
基于华润微 0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台，成都锐成芯微已完成高密度版本 Logic Flash® IP 的功能、性能和 1000 小时可靠性测试，以及高可靠性版本 LogicFlash® IP 的功能测试。目前，两个版本的 IP 均有客户使用并成功导入量产，客户反馈该技术方案相比其他解决方案具有高性价比、高灵活性等特点。
华润上华设计服务工程中心总监王浩表示：“0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台是公司近些年重点打造的基础工艺平台，其关键工艺参数（On-BV、ESD、Rdson）在业界处于领先地位。公司具备极具市场竞争力的数字单元库（缩小到 60%）和 SRAM（缩小到 58%）。根据市场调研，公司发现其核心客户应用领域从功能单一的 ASIC 芯片向智能化可编程化的 MCU 类芯片发展，eNVM 是 MCU 类芯片不可或缺的核心 IP。此次与成都锐成芯微的合作，补齐了公司 0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台缺少核心 eNVM IP 的短板，为客户提供了更高价值的服务，能够帮助客户提高产品竞争力。”
成都锐成芯微首席执行官向建军表示：“锐成芯微一直致力于 eNVM IP 的开发，通过不断加大研发投入，优化设计，确保在保持高性能的条件下，不断提升成本竞争力，满足客户对于 eNVM IP 的多样性需求。此次和华润上华在 0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台的合作，也是为了更好地满足市场需求，为全球客户提供极具成本优势的高性能 eNVM 技术。”
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